硅片切片是什么意思？ 硅片厂脱胶好还是切片工作好？

一、硅片切片是什么意思？

切片是动作，是过程。硅片是结果，是产品。

硅片切割技术在光伏电池材料中具有重要的意义，切割技术长期成为光伏行业研究的热点。硅片切割技术主要分为内圆切割和多线切割技术。目前硅片切割技术多采用多线切割技术，相比以前的内圆切割，有切割效率高，成本低，材料损耗少的优点。因此多线钢线硅片切割技术是未来切割技术的主流，目前硅片能够切出的最薄度在200um左右。

二、硅片厂脱胶好还是切片工作好？

硅片厂的脱胶和切片是两个不同的工作环节，其重要性和难度都不相同。脱胶是将硅片从单晶硅棒上取下的过程。在硅片制程中，通过磨削和腐蚀等方式，将单晶硅材料制成薄硅片，然后将薄硅片从单晶硅棒上取下，以进一步进行加工。脱胶是一个非常关键的工序，因为如果脱胶不到位，可能会导致硅片碎裂或者表面存在损伤，从而影响硅片的质量和使用寿命。切片是将硅片按照一定的尺寸和形状进行裁剪的过程。在硅片加工过程中，需要将硅片切割成符合要求的尺寸和形状，以满足不同应用的需求。切片的质量对于硅片的性能和可靠性都至关重要，因为如果切片不准确或者存在损伤，可能导致硅片在使用过程中出现故障或者失效。因此，硅片厂的脱胶和切片都是非常重要的工作环节，二者缺一不可，无法进行单独比较。而脱胶和切片的质量关系到硅片的性能和使用寿命，需要进行严格的控制和管理，以确保硅片的质量符合要求。

三、光伏硅片制备技术？

一、硅片检测。硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。

二、表面制绒。单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。

三、扩散制结。太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。

四、去磷硅玻璃。

五、等离子刻蚀。由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。

六、镀减反射膜。抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。

四、单晶硅片生产技术？

单晶硅生产技术:

1、 石头加工

开始是石头，(石头都含硅)，把石头加热，变成液态，在加热变成气态，把气体通过一个密封的大箱了，箱子里有N多的子晶加热，两头用石墨夹住的，气休通过这个箱子，子晶会把气体中的一种吸符到子晶上，子晶慢慢就变粗了，因为是有体变固休，所以很慢，一个月左右，箱子里有就很多长长的原生多品硅。

2、 酸洗

当然， 还有很多的废气啊什么的，(四氯化硅)就是生产过程中产生的吧，好像现在还不能很好处理这东西，废话不多说，原生多晶有了，就开始酸洗，氢气酸啊硝酸啊，乙酸啊什么的把原生多晶外面的东西洗干净了，就过烘房烘干，无尘检查打包。

3、拉晶

送到拉晶，拉晶就是用拉晶炉把多晶硅加热融化，在用子晶向上拉引，工人先把多晶硅放进石英锅里，(厂里为了减少成本，也会用一些洗好的电池片，碎硅片一起融)关上炉子加热，石英锅的融点1700度，硅的融点才1410度左右，融化了硅以后石英锅慢慢转起来，子晶从上面下降，点到锅的中心液面点，也慢慢反方向转，锅下面同时在电加热，液面上加冷，子晶点到液面上就会出现一个光点，慢慢旋转，向上拉引，放肩，转肩，正常拉棒，收尾，一天半左右，一个单晶棒就出来了。

4、切方

单晶棒有了就切方，单晶棒一般是做6英寸的，P型，电阻率0.5-6欧姆(一英寸等于2.4厘米左右)切掉棒子四边，做成有倒角的正方形，在切片，0.22毫米一片吧。

五、切片技术有那些？

根据切片的厚度分为：半薄切片和超薄切片。

半薄切片主要有冰冻切片、石蜡切片和树脂切片，用于在光镜和荧光显微镜下观察；

超薄切片主要就是样品用包埋液包埋聚合后进行切片，得到70-100nm厚度的片子，用于透射电镜下观察，可以检测细胞内的超微结构。

六、什么是超薄切片技术？

根据切片的厚度分为：半薄切片和超薄切片。

半薄切片主要有冰冻切片、石蜡切片和树脂切片，用于在光镜和荧光显微镜下观察；

超薄切片主要就是样品用包埋液包埋聚合后进行切片，得到70-100nm厚度的片子，用于透射电镜下观察，可以检测细胞内的超微结构。

七、魔芋切片种植技术方法？

切块繁殖的种芋首先要选择健壮无伤、无病的球茎，顶芽要肥壮，芽窝不宜太深；大小应为 500 g 左右。 切块时应以顶芽为中心，纵向等分切割，使每个切块所带的侧芽萌发生长。

切块应选择晴天无风的中午进行。 切块刀具应用 0.3% 高锰酸钾浸泡，每切 1 次，将刀具浸泡消毒 1 次。 切后用 40% 福尔马林加水 200～250 倍液浸种 20～30 分钟， 或用 0.1% 高锰酸钾液浸种芋 10 分钟，取出让太阳暴晒 1～2 天。 防止病菌侵入和促进伤口愈合。

2 整地

魔芋地下部分为球茎且根系较长， 适宜在土层深厚、质地疏松、排水透气良好、有机质丰富的轻砂土壤生长， 土壤松厚肥沃是保证魔芋根系生长发育和块茎正常膨大的重要条件。 一般土壤 pH 值为 6.5～7.0 ， 中性和微碱性的土壤也能种植魔芋， 但酸碱性较强的土壤不适宜魔芋生长。种植魔芋地块应冬前深耕，春后深耕细整，确保土壤疏松。

3 种植

1 ）种植时间。 魔芋的种植必须在种球茎的生理休眠期解除后和平均气温回升至 12～14 ℃ 、最低气温 10 ℃ 左右时进行。 商州种植区域一般在清明前后种植，海拔低的区域适当推后半月。

2 ）密植及用种量。魔芋种植密度小，球茎膨大率较好，根状茎发生多，单株产量较高，但密度较小，单位面积产量下降。 魔芋喜荫蔽、畏高温，密度小，叶面积系数过小，阳光通透叶幕空隙直晒土表， 使土壤温度升高达 35 ℃ 以上，对根产生不利影响，且风害威胁更大。为了加强通风透气，且便于田间管理，一般采取宽行距、窄株距，行距为种芋横径的 6 倍，株距约为 4 倍。

3 ）种植模式。 商州区一般采取魔芋 + 核桃林，或核桃魔芋 + 玉米栽培模式； 种植户可根据情况自定，套种植物能达到一定遮阴效果就可以。

4 管理

1 ）施肥。切块魔芋吸收力不强，必须培肥土壤和科学施肥。魔芋对有机质有特殊的爱好，因此培肥土壤的重要手段是大量施入腐熟堆肥或其他有机肥， 1 hm 2 约施 2 万 kg ，待堆肥或其他有机肥待充分腐熟后使用。

2 ）培土。切块魔芋种植出土较慢，约 1 个月后才开始萌芽出土，此时应抓住时机，趁根群尚未布满前进行浅中耕破除土表板结层， 增进土壤空气通透， 同时进行培土或培土与施基肥相结合。培土是将畦沟中土壤培于种植沟上，可使土壤有更大的通气面以促进根状茎生长并保护上层根群

八、硅片制作的技术含量高吗？

目前单晶硅生产已经很成熟了，单晶硅炉国内也有很多厂家生产，质量也过关，单晶硅棒生产出来后的加工，比如切片技术还是国外的好，损耗小精度好，效率高，再就是精加工也是基本要用国外的设备。但已经不算是技术含量很高了。

九、硅片切片有几个工序？包含哪些方面的安全隐患？

1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。

2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。

3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。

4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。在整个切割过程中，对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。线痕和TTV: 线痕和TTV是在硅片加工当中遇到的比较头疼的事，时不时就会出现一刀，防不胜防。TTV是在入刀的时候出现，而线痕是在收线弓的时候容易出现。

十、mec与切片技术的区别？

MEC 技术:是针对具体场景和关键诉求，分析了边缘计算的关键技术。特别是对移动网络而言，给出多种联接和计算方面的增强技术，从而发挥通信网的优势，提升用户体验。切片（slice）:就是一种截取索引片段的技术，借助切片技术，我们可以十分灵活地处理序列类型的对象。